GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法
發(fā)布時間： 2021-12-23 13:09:45 點擊： 1516
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法
FT-300TZ兩探針電阻率測試儀
一、功能介紹：
適用于半導體材料企業(yè)、科研、高等院校及實驗室分析半導體材料縱向電阻率；可測量橫截面積均勻的圓形、方形或矩形硅單晶的電阻率，試樣長度與截面尺寸之比應不小于3:1；配置測量平臺，正反向電流測量模式；液晶顯示，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，可選購PC軟件實時數(shù)據(jù)和報表管理；提供中文或英文兩種語言操作界面選擇.
二.參照標準：
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法-方法2直流兩探針法；
SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測定兩探針法>>
上一頁：2021第五屆深圳國際電池技術展覽會
下一頁：粉末安息角測試儀的原理和使用說明
